PC 指集电极允许耗散功率，使用时不能过此功率；

  IC 指集电极允许直流电流；

  IB 指基极允许直流电流；

  Tj 结温度，指PN结温度；

  VCEO（集电极—发射极击穿电压）基极开路，C、E之间的反向击穿电压。

  VCBO（集电极—基极击穿电压）发射极开路，C、B之间的反向击穿电压。

  VEBO（发射极—基极击穿电压）集电极开路，E、B之间的反向击穿电压。

  HFE(共发射极正向电流传输比)：在共发射极电路中，输出电压保持不变时，直流输出电流与直流输入电流之比。

  ICBO（集电极—基极截止电流）：当发射极开路时，在规定的集电极—基极电压下，流过集电极—基极结的反向电流。

  IEBO（发射极—基极截止电流）：当集电极开路时，在规定的发射极—基极电压下，流过发射极—基极结的反向电流。

  VCE（SAT）（集电极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，集电极子与发射极子之间的电压;

  VBE（SAT）（基极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，基极子与发射极子之间的电压；

  VBE（基极—发射极电压）：在规定的VCE、IC的条件下，晶体管的基极—发射极正向电压。

  FT（特征频率）：共发射小信号正向电流传输比的模数下降到1时的频率；

  Cob（共基极输出电容）：在共基极电路中，输入交流开路时的输出电容。