由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件组成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸�。杏⑸馍亓髯樱獠康缢跣』梗杏⑸獾缌髟鲆妗９饩迦苋耸虑椋是嵋淄瓿傻缈鼗虻缤�。光晶体三极管可分为两类：双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相干器件。
双极型光晶体管 双极型光晶体管从构造上分为同质型和异质型两种。图为异质结光晶体管能带图。光在基区-搜集区吸�。杏⑸目昭ǎǘ嘧樱┰诨�,使发射结注入更多电子以坚持电中性而孕育发生增益。与同质结型比拟有以下好处：①应用宽带发射区作为光学窗口大大进步量子服从。②应用宽带发射区进步注入服从，大大增长缩小倍数β。关于短波长（短于0.9微米），常用GaAs-GaAlAs体系，关于长波长（善于1.1微米），则应用 InP-InGaAsP体系。关于后者，也可应用反面光照。这些体系基区均应用间接能隙半导体,光吸取率很高,故可做得较�。蟠笫账趿嘶稍焦し�。
双极型光晶体管平日增益很高，但速率不太快，关于GaAs-GaAlAs，β可大于1000，相应工夫大于纳秒（视增益巨细纷歧）。其增益带宽积GB在小电流弱光照时受发射极和搜集极充电工夫常数限定；而在大电流或强光照时则根本上由基区渡越工夫和搜集极渡越工夫决议。普通，fT为晶体管停止频率。当应用基区引线孕育发生恰当偏流时，可明显低落发射极充电工夫常数，并为基区积聚的光生载流子供应通路，减小基区等效寿命而收缩相应工夫。GaAs-GaAlAs光晶体管相应工夫为250皮秒或短。
异质结光晶体管噪声决议于事情电流，小电流时噪声较低。但小电流事情时发射极工夫常数增大，且空间电荷区复合流占主导身分，也形成增益低落（β反比于，I1-1/ne,n≈2）。为减小空间电荷区复合流,可用分子束内涵发展法在靠发射结一端发展约300埃的宽带基区,并组成基区空间电荷区一局部，这便是“双基区”构造。
异质结光晶体管用于光探测器,其功能不劣于PIN光电二极管和场效应复合体系，别的也可用于光缩小。
光场效应晶体管及其相干光电器件 GaAs MESFET可用作高速光探测器(GaAs op FET),其相应工夫为50皮秒或更短，增益可大于10（与事情前提有关）。它的缺陷是光敏面积小。GaAs op FET及其相干的N沟光电器件的光增益机构有：①光异体机构，增益即是电子速率与空穴速率之比；②转移电子效应机构，其增益来自光生载流子在负迁徙率区的空间电荷缩小感化。与此相干另有很多其他立体型光电器件，其特性是速率快（相应工夫几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中失掉使用。
